|
Intel e STMicrolectronics presentano Alverstone, il primo esemplare di PRAM, le memorie a cambiamento di fase che rivoluzioneranno il mondo dello storage portatile.
Se il mercato delle memorie NAND flash è in fermento c’è chi guarda avanti, molto più avanti! Si tratta di Intel che, insieme a STMicroelectronics, lo scorso 6 febbraio ha salutato con vivo entusiasmo la messa in distribuzione dei primi prototipi di memorie a cambiamento di fase (PCM-Phase Change Memory), destinati alla loro prima fase di test lontani dal laboratorio.
Si tratta di una tecnologia alla quale Intel ed ST lavoravano da tempo e che darà il là ad una nuova generazione di chipset di memoria denominati PRAM (Phase-Change RAM), che avranno dalla loro i vantaggi di non perdere informazioni se non più alimentati, tipico delle memorie flash, abbinati a prestazioni velocistiche simili a quelle delle memorie RAM.
Il primo chipset, denominato Alverstone, come annunciato nel comunicato ufficiale , è pronto ad abbandonare i laboratori per i primi test. Alverstone è un chip da 128Mb con processo produttivo a 90nm accreditato di velocità in lettura e scrittura 1000 volte superiori ai valori delle memorie flash (le classiche schede di memoria per fotocamere, lettori mp3 etc…) e con una longevità stimata in 100 milioni di clicli in lettura/scrittura, dato 100 volte superiore alle attuali memorie flash.
“Si tratta del più significativo progresso nel campo delle memorie non volatili da 40’anni a questa parte” spiega Ed Doller, direttore tecnico designato di Numonyx, la nuova società frutto della joint venture tra Intel ed ST Microelectronics che produrrà le memorie, che prosegue: “Si tratta di un passo importante per l’industria e la nostra azienda”.
La diffusione di memorie PRAM potrebbe avere impatti significativi non solo sul mondo dei device, come smart phone, lettori mp3 etc, ma, con il miglioramento della capacità tecnica e la contestuale riduzione dei costi, anche sui sistemi notebook, in particolare gli ultraportatili.
Intanto Alverstone, il primo modulo di memoria a cambiamento di fase (PRAM), è atteso in volumi sul mercato non prima della fine dell’anno. |